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              深圳市港晟電子有限公司
              CONQUER ELECTRONICS SHENZHEN CO.,LTD
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              首頁 - 產品應用 - NCE Power (新潔能)
              名    稱: NCE 無錫新潔能股份有限公司
              所屬類別: NCE Power (新潔能)
              摘    要: 超結功率MOSFET,溝槽柵場截止型IGBT

               

                無錫新潔能專業從事半導體功率器件的研發與銷售。目前公司主要產品包括:12V~200V溝槽型功率MOSFET(N溝道和P溝道)、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET(N溝道和P溝道)、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT,相關核心技術已獲得多項專利授權,四大系列產品均獲得江蘇省高新技術產品認定。

                公司產品憑借低損耗、高可靠性品質,已成功進入汽車電子、電機驅動、家用電器、消費電子、LED照明、電動車、安防、網絡通信等市場領域,獲得國內外知名公司的認證。公司利用自身技術優勢,與國際知名的8” 晶圓代工廠、封裝測試代工廠緊密合作,具備完善的質量管理體系,確保產品的持續優質和穩定供貨。

                公司是高新技術企業、中國半導體功率器件十強企業(中國半導體協會,2016&2017年),擁有無錫市功率器件工程研究中心、江蘇省研究生工作站,注重先進半導體功率器件的研發與產業化,多項研發成果在IEEE、ISPSD等國際期刊/國際會議上發表,并被SCI、EI索引。公司將持續加大研發投入,提升產品競爭力,目標成為具有國際競爭力的半導體功率器件產品與服務供應商。

                公司總部位于江蘇無錫,設有深圳分公司。公司宗旨是誠信對待、忠誠服務所有客戶和合作者,致力于建立合作共贏的長期協作關系。

               

              序號 品牌 存貨 規格型號 最小包裝量 封裝方式
              1 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE01H10 1000 TO-220
              2 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE1520AK 2500/盤 TO-252
              3 NCE 功率MOSFET NCE1520K 2500/盤 TO-252
              4 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE3035Q 4K/盤 DFN3*3
              5 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE3416 3000 SOT-23
              6 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE40H12 1000 TO-220
              7 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE40H20A 1000 TO-220
              8 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE40H21C 1000 TO-220
              9 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE6020AI 1000 TO-251
              10 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE60H10 1000 TO-220
              11 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE60H15 1000 TO-220
              12 NCE 超結功率MOSFET NCE65T180 1000 TO-220
              13 NCE 溝槽型功率MOSFET NCE9435 4K/盤 SOP-8
              14 NCE 溝槽型功率MOSFET NCEP0112AS 1000 TO-251
              15 NCE 屏蔽柵溝槽型功率MOSFET NCEP01T13 1000 TO-220
              16 NCE 屏蔽柵溝槽型功率MOSFET NCEP12T15 1000 TO-220
              17 NCE 屏蔽柵溝槽型功率MOSFET NCEP15T14 1K TO-220
              18 NCE 屏蔽柵溝槽型功率MOSFET NCEP40T11AG 5K/盤 DFN5*6
              19 NCE 功率MOSFET NCEP40T11G 5K/盤 DFN5*6
              20 NCE 溝槽型功率MOSFET NCEP60T12A 1000 TO-220
              21 NCE 屏蔽柵溝槽型功率MOSFET NCEP60T18 1000 TO-220
              22 NCE 溝槽型功率MOSFET NCEP60T18A 1000 TO-220

               

              手機快充同步整流MOSFET推薦


              采用先進的耐壓原理和優化的設計結構,全新700~900V  SJ-MOS Ⅱ系列產品為系統應用提供充足的耐壓余量,簡化系統設計難度,提高系統可靠性,滿足客戶對高耐壓、低導通電阻和高效率超結MOSFET的需求。


              隨著信息化時代的到來,手機等電子設備的普及程度隨之加大,充電時間長次數多等問題困擾著人們。而隨著生活節奏的加快,手機電池容量加大,消費者迫切需要一種快速充電方案,緩解充電的煩惱。從而催生了快速充電器的發展和普及。


              實現快速充電必然需要加大充電功率。大功率意味著充電器體積的增加,作為移動電子設備配件,充電器體積必須做到小型化,方便隨身攜帶,這對電源效率,溫升提出了更高的要求,所以催生了同步整流的發展。目前代表性的快充解決方案以PI,Iwatt為主。均采用同步整流,以提高電源效率,降低溫度。


              下圖是PI QC3.0方案電路原理圖。



              主芯片采用SC1271K,該芯片內部集成了初級開關管、PWM 控制器、次級同步整流控制器。輸出部分的協義芯片為SC0163D,完整的支持高通的 QC3.0 Class A 規格,兼容 QC2.0 的Class A 規格。


              典型產品如小米5手機充電器MDY-08-EH?蓪崿F充電5分鐘能通話2.5小時。輸出:5V2.5A,9V2A,12V1.5A,標稱最大輸出功率 18W;達到了主流快充充電器的輸出水準。

                

              無錫新潔能針對此應用推出了四款同步整流MOS NCEP6020ASNCE0110AS,NCE0114AS,NCEP0160G,并采用最新的Super Trench 工藝。SuperTrench MOS采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽(ShieldGate Deep Trench)技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg),新款Super Trench MOS 軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰。

              èNCEP6020AS(60V 20A)

              - SOP-8封裝
              - Vth=1.7V
              - Ron10=4.0mR (Typ.) 
              - Ron4.5=4.4mR(Typ.)
              - Qgd=10nC

              èNCE0110AS

              - SOP-8封裝
              - VDS= 100V,ID =10A
              - RDS(ON)< 17m? @ VGS=10V (Typ:14m?)
              - RDS(ON)< 20m? @ VGS=4.5V (Typ:15.2m?) 

              èNCE0114AS

              - SOP-8封裝

              - VDS =100V,ID =14A
              - RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @VGS=10V
              - RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V

              èNCEP0160G

              - DFN5X6-8L(同SOP-8封裝兼容)
              - VDS =100V,ID =60A
              - RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V


              NCE0114AS在一款采用PI方案INN2215K方案的24W快充產品上,在較苛刻的測試條件下實測效率高達88.5%。測試條件:輸入90V AC,輸出8V3A。NCE0160G相比NCE0114AS,Rdson更低,電流更大,熱阻低至0.7℃/W,適合一些要求更嚴格的場合。


              同時,新潔能針對OB,Iwtt一些非集成初級MOS方案,可提供TO-251.TO-252等小體積超結MOS。相對于VDMOS,具有更低的導通電阻,利于降低導通損耗,極低的柵極電荷,提供更快的開關速度,同規格下更小的封裝體積,減小產品尺寸。 TO-251,TO-252封裝下最大可提供11A650V。普通VDMOS則較難做到如此小型封裝。

              超結產品目錄:http://www.ncepower.com/proSuperJunctionMOSFETs.aspx?Cateid=71

               

               

                港晟電子品牌代理-無錫新潔能股份有限公司(NCEPower)官方網站:http://www.ncepower.com 可獲最新信息!

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